Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1404ZPBF
Code Commande63J7191
Egalement appeléSP001574476
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 50 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,390 $ |
| 10+ | 1,770 $ |
| 100+ | 1,410 $ |
| 500+ | 1,390 $ |
| 1000+ | 1,340 $ |
| 3000+ | 1,330 $ |
| 5000+ | 1,270 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,39 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1404ZPBF
Code Commande63J7191
Egalement appeléSP001574476
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source On State Resistance3700µohm
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd220W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation220W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRF1404ZPBF is a 40V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- 175°C Operating temperature
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3700µohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
190A
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
220W
Power Dissipation
220W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits