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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E512M64D2HJ-046 AAT:B
Code Commande81AJ0001
Fiche technique
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density32Gbit
DRAM Density32Gbit
Memory Configuration512M x 64bit
DRAM Memory Configuration512M x 64bit
Clock Frequency2.133GHz
Clock Frequency Max2.133GHz
Memory Case StyleTFBGA
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Access Time468ps
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X)is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel x 16 I/O, each channel having 8-banks.
- 512 Meg x 64 configuration
- LPDDR4, 2 die count
- Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
- 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies , programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Automotive AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from –40°C to +105°C
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
32Gbit
DRAM Memory Configuration
512M x 64bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Access Time
468ps
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Density
32Gbit
Memory Configuration
512M x 64bit
Clock Frequency
2.133GHz
Memory Case Style
TFBGA
No. of Pins
556Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit