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FDB2532
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,270 $ |
| 10+ | 5,110 $ |
| 25+ | 4,860 $ |
| 50+ | 4,600 $ |
| 100+ | 4,350 $ |
| 250+ | 4,240 $ |
| 500+ | 4,150 $ |
| 1600+ | 4,040 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,27 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB2532
Code Commande61M6190
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd310W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation Pd
310W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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