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FDN86246
MOSFET, N-CH, 150V, 1.6A, SUPERSOT
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,710 $ |
| 10+ | 1,240 $ |
| 25+ | 1,160 $ |
| 50+ | 1,070 $ |
| 100+ | 0,989 $ |
| 250+ | 0,897 $ |
| 500+ | 0,804 $ |
| 1000+ | 0,776 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN86246
Code Commande88T3351
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.261ohm
On Resistance Rds(on)0.195ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.5W
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.261ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
On Resistance Rds(on)
0.195ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit