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FDP3682
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 1,690 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 800
Multiple: 800
1 352,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP3682
Code Commande28H9701
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id32A
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd95W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation95W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
95W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
95W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit