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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,530 $ |
| 10+ | 1,050 $ |
| 25+ | 0,955 $ |
| 50+ | 0,862 $ |
| 100+ | 0,770 $ |
| 250+ | 0,727 $ |
| 500+ | 0,684 $ |
| 1000+ | 0,656 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS6H850NTAG
Code Commande48AC1758
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
On Resistance Rds(on)0.0085ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd107W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation107W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation Pd
107W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
68A
On Resistance Rds(on)
0.0085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVTFS6H850NTAG
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit