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2N6111
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. Fabricant2N6111
Code Commande89K1170
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current7A
Power Dissipation40W
Power Dissipation Pd40W
DC Collector Current7A
DC Current Gain hFE30hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-220AB
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
40W
DC Collector Current
7A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-220AB
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Continuous Collector Current
7A
Power Dissipation Pd
40W
DC Current Gain hFE
30hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit