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STB35N65DM2
MOSFET, 650V, 32A, 150DEG C, 250W, TO263
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB35N65DM2
Code Commande04AJ4701
Gamme de produitMDmesh DM2
Fiche technique
870 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,260 $ |
| 10+ | 5,200 $ |
| 25+ | 4,970 $ |
| 50+ | 4,880 $ |
| 100+ | 4,840 $ |
| 250+ | 4,800 $ |
| 500+ | 4,760 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
8,26 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB35N65DM2
Code Commande04AJ4701
Gamme de produitMDmesh DM2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id32A
On Resistance Rds(on)0.093ohm
Drain Source On State Resistance0.093ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM2
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.093ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh DM2
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Drain Source On State Resistance
0.093ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits