Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 094 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,880 $ |
| 10+ | 1,810 $ |
| 25+ | 1,800 $ |
| 50+ | 1,780 $ |
| 100+ | 1,770 $ |
| 250+ | 1,770 $ |
| 500+ | 1,760 $ |
| 1000+ | 1,760 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,88 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD5NM60T4
Code Commande26M3528
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd96W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation96W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STD5NM60T4 is an N-channel MDmesh™ Power MOSFET has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The MDmesh™ is a new revolutionary power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
96W
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD5NM60T4
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits