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935 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,540 $ |
| 10+ | 6,500 $ |
| 25+ | 5,440 $ |
| 50+ | 4,400 $ |
| 100+ | 4,090 $ |
| 250+ | 3,830 $ |
| 500+ | 3,560 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,54 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP35N60DM2
Code Commande79Y9469
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id28A
On Resistance Rds(on)0.094ohm
Drain Source On State Resistance0.094ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd210W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.094ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
210W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.094ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits