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552 En Stock
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTU7N65M2
Code Commande40Y2612
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)0.98ohm
Drain Source On State Resistance0.98ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd60W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.98ohm
Transistor Case Style
TO-251
Power Dissipation Pd
60W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
0.98ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits