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363 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,640 $ |
| 10+ | 5,130 $ |
| 25+ | 4,900 $ |
| 60+ | 4,660 $ |
| 120+ | 4,420 $ |
Prix pour :Each
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW35N60DM2
Code Commande79Y9478
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.094ohm
On Resistance Rds(on)0.094ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd210W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.094ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.094ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
210W
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STW35N60DM2
1 produit trouvé
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits