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TPN4R806PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TSON, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN4R806PL,L1Q(M
Code Commande72AK4646
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
Options de conditionnement
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,950 $ |
| 10+ | 1,670 $ |
| 25+ | 1,510 $ |
| 50+ | 1,370 $ |
| 100+ | 1,150 $ |
| 250+ | 1,010 $ |
| 500+ | 0,879 $ |
| 1000+ | 0,843 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN4R806PL,L1Q(M
Code Commande72AK4646
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
105A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit