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IRF610PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
393 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,270 $ |
| 10+ | 1,160 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 1,050 $ |
| 100+ | 0,987 $ |
| 500+ | 0,939 $ |
| 1000+ | 0,898 $ |
| 2500+ | 0,876 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,27 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF610PBF
Code Commande38K2811
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd36W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
36W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits