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IRF610SPBF
MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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Options de conditionnement
320 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,090 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 25+ | 1,530 $ |
| 50+ | 1,520 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 250+ | 1,460 $ |
| 500+ | 1,440 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,09 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF610SPBF
Code Commande56AJ9913
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd36W
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
36W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits