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SI4136DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 46 A, 0.002 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 32 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,760 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
4 400,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4136DY-T1-GE3
Code Commande85W3204
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source On State Resistance0.002ohm
On Resistance Rds(on)0.00155ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd7.8W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.002ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
7.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
46A
On Resistance Rds(on)
0.00155ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit