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SI7469ADP-T1-RE3
MOSFET, P-CH, 80V, 46A, POWERSO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7469ADP-T1-RE3
Code Commande15AJ3223
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,190 $ |
| 10+ | 2,440 $ |
| 25+ | 2,270 $ |
| 50+ | 2,090 $ |
| 100+ | 1,920 $ |
| 250+ | 1,800 $ |
| 500+ | 1,670 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,19 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7469ADP-T1-RE3
Code Commande15AJ3223
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source On State Resistance0.0161ohm
On Resistance Rds(on)0.0161ohm
Transistor Case StylePowerSO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation73.5W
Power Dissipation Pd73.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0161ohm
Transistor Case Style
PowerSO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
46A
On Resistance Rds(on)
0.0161ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Power Dissipation Pd
73.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits