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996 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,620 $ |
| 10+ | 6,770 $ |
| 25+ | 6,260 $ |
| 50+ | 5,770 $ |
| 100+ | 5,120 $ |
| 500+ | 4,650 $ |
| 1000+ | 4,010 $ |
| 2500+ | 3,700 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB075N65E-GE3
Code Commande22AM2322
Gamme de produitE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.079ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.079ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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