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SIRA18DP-T1-GE3.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 33 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA18DP-T1-GE3.
Code Commande96AC3670
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Distribué par Avnet
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,398 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 194,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA18DP-T1-GE3.
Code Commande96AC3670
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd14.7W
Power Dissipation14.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
SVHCLead
Aperçu du produit
N-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC conversion, battery protection, load switching and DC/AC inverters.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
14.7W
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
14.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit