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SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
26 804 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,620 $ |
| 25+ | 1,380 $ |
| 100+ | 1,070 $ |
| 500+ | 0,918 $ |
| 1000+ | 0,652 $ |
| 2500+ | 0,613 $ |
| 5000+ | 0,580 $ |
| 10000+ | 0,570 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,62 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS892ADN-T1-GE3
Code Commande63W4139
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits