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SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 4.5A, POWERPAK SC70 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA817EDJ-T1-GE3
Code Commande57AJ0372
Gamme de produitLITTLE FOOT
Fiche technique
2 895 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,791 $ |
| 10+ | 0,647 $ |
| 25+ | 0,606 $ |
| 50+ | 0,568 $ |
| 100+ | 0,527 $ |
| 250+ | 0,481 $ |
| 500+ | 0,434 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,96 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA817EDJ-T1-GE3
Code Commande57AJ0372
Gamme de produitLITTLE FOOT
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation Pd6.5W
Power Dissipation6.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeLITTLE FOOT
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
6.5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
LITTLE FOOT
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
Power Dissipation
6.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIA817EDJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits