Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW11NK100Z.
Code Commande15AC0617
Gamme de produitSTW Series
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
Distribué par Avnet
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
Quantité | Prix |
---|---|
250+ | 4,800 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 600
Multiple: 600
2 880,00 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW11NK100Z.
Code Commande15AC0617
Gamme de produitSTW Series
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance1.38ohm
On Resistance Rds(on)1.38ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd230W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeSTW Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STW11NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Applications
Industrial
Avertissements
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
230W
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
On Resistance Rds(on)
1.38ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
STW Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit