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DIF120SIC022
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
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30 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 46,760 $ |
| 5+ | 45,040 $ |
| 10+ | 43,140 $ |
| 25+ | 41,410 $ |
| 50+ | 39,510 $ |
| 100+ | 38,940 $ |
| 250+ | 38,170 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
46,76 $
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Informations produit
FabricantDIOTEC
Réf. FabricantDIF120SIC022
Code Commande16AM8150
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0223ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation340W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0223ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
340W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits