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DIW120SIC059-AQ
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
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FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDIW120SIC059-AQ
Code Commande16AM8166
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,030 $ |
| 5+ | 12,540 $ |
| 10+ | 12,000 $ |
| 25+ | 11,510 $ |
| 50+ | 10,970 $ |
| 100+ | 10,800 $ |
| 250+ | 10,600 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDIW120SIC059-AQ
Code Commande16AM8166
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance53mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
53mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
278W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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