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2EP110RXTMA1
GATE DRIV, IGBT, SICMOSFET, 2CH, TSSOP-8 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 457 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,940 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,94 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. Fabricant2EP110RXTMA1
Code Commande18AM3050
No. of Channels2Channels
Gate Driver TypeIsolated
Driver ConfigurationFull Bridge
Power Switch TypeGaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
No. of Pins8Pins
IC Case / PackageTSSOP
IC MountingSurface Mount
Input TypeLogic
Source Current-
Sink Current10mA
Supply Voltage Min4.5V
Supply Voltage Max20V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay280ns
Output Delay280ns
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
No. of Channels
2Channels
Driver Configuration
Full Bridge
No. of Pins
8Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
-
Supply Voltage Min
4.5V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
280ns
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Driver Type
Isolated
Power Switch Type
GaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
IC Case / Package
TSSOP
Input Type
Logic
Sink Current
10mA
Supply Voltage Max
20V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
280ns
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits