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AIMBG120R010M1XTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 205 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMBG120R010M1XTMA1
Code Commande78AK2550
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
575 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 60,550 $ |
| 10+ | 51,180 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
60,55 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMBG120R010M1XTMA1
Code Commande78AK2550
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id205A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0087ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation882W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
205A
Drain Source On State Resistance
0.0087ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
882W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits