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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC067N06LS3GATMA1
Code Commande
Mise en bobine47W3309
Bandes découpées47W3309
Egalement appeléBSC067N06LS3 G, SP000451084
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,030 $ |
| 10+ | 2,140 $ |
| 25+ | 1,950 $ |
| 50+ | 1,770 $ |
| 100+ | 1,570 $ |
| 250+ | 1,420 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC067N06LS3GATMA1
Code Commande
Mise en bobine47W3309
Bandes découpées47W3309
Egalement appeléBSC067N06LS3 G, SP000451084
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd69W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC067N06LS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Applications
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
69W
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour BSC067N06LS3GATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit