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FF3MR12KM1HPHPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 220 A, 1.2 kV, 0.00444 ohm, Module
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|---|---|
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF3MR12KM1HPHPSA1
Code Commande12AM0944
Gamme de produit62 mm C Series
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id220A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00444ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range62 mm C Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
220A
Drain Source On State Resistance
0.00444ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
62 mm C Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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