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FF6MR12W2M1HB70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 150 A, 1.2 kV, 5.4 mohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR12W2M1HB70BPSA1
Code Commande86AK5003
Gamme de produitEasyDUAL 2B CoolSiC Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 251,300 $ |
| 5+ | 244,660 $ |
| 10+ | 238,030 $ |
| 30+ | 231,380 $ |
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251,30 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR12W2M1HB70BPSA1
Code Commande86AK5003
Gamme de produitEasyDUAL 2B CoolSiC Series
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5.4mohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
5.4mohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyDUAL 2B CoolSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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