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IMBG120R022M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R022M2HXTMA1
Code Commande97AK2406
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Options de conditionnement
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,740 $ |
| 10+ | 15,350 $ |
| 25+ | 14,900 $ |
| 50+ | 14,460 $ |
| 100+ | 14,020 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
21,74 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R022M2HXTMA1
Code Commande97AK2406
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0216ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation385W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
87A
Drain Source On State Resistance
0.0216ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
385W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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