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IMBG120R040M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 52A, TO-263HV-7
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R040M2HXTMA1
Code Commande97AK2408
Gamme de produitCoolSiC Mosfet 1200V G2
Votre numéro de pièce
527 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,780 $ |
| 10+ | 9,500 $ |
| 25+ | 8,900 $ |
| 50+ | 8,290 $ |
| 100+ | 7,690 $ |
| 250+ | 7,520 $ |
| 500+ | 7,340 $ |
| 1000+ | 7,180 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
13,78 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R040M2HXTMA1
Code Commande97AK2408
Gamme de produitCoolSiC Mosfet 1200V G2
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0396ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation250W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
0.0396ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
250W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits