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IMBG65R007M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R007M2HXTMA1
Code Commande97AK4556
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
809 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 35,140 $ |
| 10+ | 30,130 $ |
| 25+ | 30,110 $ |
| 50+ | 28,540 $ |
| 100+ | 26,960 $ |
| 250+ | 26,570 $ |
| 500+ | 26,540 $ |
| 1000+ | 24,830 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
35,14 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R007M2HXTMA1
Code Commande97AK4556
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id238A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation789W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
238A
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
789W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits