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IMT65R030M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 71 A, 650 V, 30 mohm, HSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R030M1HXUMA1
Code Commande
Mise en bobine79AK2193
Bandes découpées79AK2193
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Votre numéro de pièce
68 En Stock
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expédition le jour même
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 15,490 $ | 15,49 $ |
| Total Prix | 15,49 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,490 $ |
| 10+ | 10,750 $ |
| 25+ | 10,150 $ |
| 50+ | 9,570 $ |
| 100+ | 8,980 $ |
| 250+ | 8,770 $ |
| 500+ | 8,590 $ |
| 1000+ | 8,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R030M1HXUMA1
Code Commande
Mise en bobine79AK2193
Bandes découpées79AK2193
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation294W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
71A
Drain Source On State Resistance
30mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
294W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit