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IMT65R107M1HXUMA1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 26A, HSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R107M1HXUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AM8486RL
Bandes découpées29AM8486
Gamme de produitCoolSiC G1 Series
Votre numéro de pièce
1 990 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,530 $ | 9,53 $ |
| Total Prix | 9,53 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,530 $ |
| 50+ | 5,070 $ |
| 100+ | 4,650 $ |
| 250+ | 4,510 $ |
| 500+ | 4,370 $ |
| 1000+ | 4,280 $ |
| 2500+ | 4,200 $ |
| 5000+ | 4,100 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R107M1HXUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AM8486RL
Bandes découpées29AM8486
Gamme de produitCoolSiC G1 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.141ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation138W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G1 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.141ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
138W
Product Range
CoolSiC G1 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit