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IMW65R007M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 54,600 $ |
| 5+ | 54,560 $ |
| 10+ | 54,520 $ |
| 25+ | 44,370 $ |
| 50+ | 44,370 $ |
| 100+ | 44,360 $ |
| 480+ | 44,360 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R007M2HXKSA1
Code Commande14AM7264
Gamme de produitCoolSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id171A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0085ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation625W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
171A
Drain Source On State Resistance
0.0085ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
625W
Product Range
CoolSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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