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IMW65R026M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R026M2HXKSA1
Code Commande20AM0190
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,920 $ |
| 10+ | 13,100 $ |
| 25+ | 12,510 $ |
| 50+ | 11,920 $ |
| 100+ | 11,330 $ |
| 480+ | 10,970 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R026M2HXKSA1
Code Commande20AM0190
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
227W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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