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IMYH200R024M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMYH200R024M1HXKSA1
Code Commande86AK9962
Gamme de produitCoolSiC Series
58 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 61,250 $ |
| 5+ | 56,490 $ |
| 10+ | 51,730 $ |
| 25+ | 46,970 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMYH200R024M1HXKSA1
Code Commande86AK9962
Gamme de produitCoolSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id89A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247 Plus
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation576W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
89A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
TO-247 Plus
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
576W
Product Range
CoolSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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