Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA120R030M1HXKSA1
Code Commande97AK2414
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
343 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 27,010 $ |
10+ | 24,590 $ |
25+ | 23,790 $ |
50+ | 22,980 $ |
100+ | 22,170 $ |
480+ | 21,670 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
27,01 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA120R030M1HXKSA1
Code Commande97AK2414
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0409ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.2V
Power Dissipation273W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMZA120R030M1HXKSA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET. Suitable for General purpose drives (GPD), EV-charging, online UPS/industrial UPS, string inverter and solar power optimizer applications.
- Silicon carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- 1200V VDSS at Tvj = 25°C and 70A IDDC at Tc = 25°C
- RDS(on) = 30mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
- 4 pin TO-247 package, virtual junction temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
0.0409ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
273W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit