Imprimer la page
IPB018N03LF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 125A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB018N03LF2SATMA1
Code Commande49AM8342
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 33 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,310 $ |
| 10+ | 3,850 $ |
| 25+ | 3,540 $ |
| 50+ | 3,220 $ |
| 100+ | 2,880 $ |
| 250+ | 2,550 $ |
| 500+ | 2,380 $ |
| 1600+ | 2,280 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,31 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB018N03LF2SATMA1
Code Commande49AM8342
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id125A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
125A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits