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IPB60R360P7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R360P7ATMA1
Code Commande
Mise en bobine49AC7999
Bandes découpées49AC7999
Gamme de produitCoolMOS P7
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Fiche technique
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,380 $ |
| 10+ | 2,270 $ |
| 25+ | 2,090 $ |
| 50+ | 1,920 $ |
| 100+ | 1,760 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R360P7ATMA1
Code Commande
Mise en bobine49AC7999
Bandes découpées49AC7999
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.36ohm
On Resistance Rds(on)0.305ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation41W
Power Dissipation Pd41W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour IPB60R360P7ATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
600V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Suitable for hard and soft switching due to an outstanding commutation ruggedness
- Significant reduction of switching and conduction losses
- Excellent ESD robustness <gt/>2KV (HBM) for all products
- Best in class RDS(on)/package
- Ease of use and fast design-in through low ringing tendency and usage across PFC and PWM stages
- Simplified thermal management due to low switching and conduction losses
- Increased power density solutions
- Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.305ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit