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IPD90P04P4L04ATMA2
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 90 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90P04P4L04ATMA2
Code Commande38AJ3778
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
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Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,040 $ |
| 10+ | 3,380 $ |
| 25+ | 3,130 $ |
| 50+ | 2,770 $ |
| 100+ | 2,380 $ |
| 250+ | 2,330 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90P04P4L04ATMA2
Code Commande38AJ3778
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Drain Source On State Resistance4300µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
4300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Produits de remplacement pour IPD90P04P4L04ATMA2
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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