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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,370 $ |
| 10+ | 6,230 $ |
| 25+ | 5,650 $ |
| 50+ | 5,060 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS3107TRLPBF
Code Commande13AC9151
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance3000µohm
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation370W
Power Dissipation Pd370W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
370W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
370W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour IRFS3107TRLPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits