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ISC0602NLSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 66 A, 0.0073 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC0602NLSATMA1
Code Commande
Mise en bobine68AJ1737
Bandes découpées68AJ1737
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
526 En Stock
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,520 $ |
| 10+ | 3,080 $ |
| 25+ | 2,770 $ |
| 50+ | 2,480 $ |
| 100+ | 2,170 $ |
| 250+ | 2,010 $ |
| 500+ | 1,820 $ |
| 1000+ | 1,760 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC0602NLSATMA1
Code Commande
Mise en bobine68AJ1737
Bandes découpées68AJ1737
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source On State Resistance7300µohm
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
66A
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour ISC0602NLSATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit