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ISC0703NLSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 57 A, 0.0069 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC0703NLSATMA1
Code Commande
Mise en bobine68AJ1740
Bandes découpées68AJ1740
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 088 En Stock
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expédition le jour même
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,100 $ |
| 10+ | 2,030 $ |
| 25+ | 1,840 $ |
| 50+ | 1,630 $ |
| 100+ | 1,420 $ |
| 250+ | 1,300 $ |
| 500+ | 1,170 $ |
| 1000+ | 1,080 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC0703NLSATMA1
Code Commande
Mise en bobine68AJ1740
Bandes découpées68AJ1740
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id57A
Drain Source On State Resistance6900µohm
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation44W
Power Dissipation Pd44W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
6900µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
57A
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
44W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour ISC0703NLSATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit