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ISG0616N10NM5HSCATMA1
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 139A, WHITFNU01 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantISG0616N10NM5HSCATMA1
Code Commande08AM2316
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
1 735 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,450 $ |
| 10+ | 5,470 $ |
| 25+ | 5,030 $ |
| 50+ | 4,580 $ |
| 100+ | 4,140 $ |
| 250+ | 3,940 $ |
| 500+ | 3,740 $ |
| 1000+ | 3,670 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
37,25 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISG0616N10NM5HSCATMA1
Code Commande08AM2316
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel139A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.004ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWHITFN-U01
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel167W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
139A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.004ohm
Transistor Case Style
WHITFN-U01
Power Dissipation N Channel
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour ISG0616N10NM5HSCATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits