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ISP26DP06NMSATMA1
MOSFET, P-CH, -60V, 1.9A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,285 $ |
| 6000+ | 0,276 $ |
| 12000+ | 0,246 $ |
| 18000+ | 0,244 $ |
| 30000+ | 0,238 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
855,00 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISP26DP06NMSATMA1
Code Commande86AK5457
Gamme de produitOptiMOS Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance0.26ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-4V
Power Dissipation5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.26ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour ISP26DP06NMSATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
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