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SPB20N60C3ATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 20.7A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,880 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1000
Multiple: 1000
2 880,00 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPB20N60C3ATMA1
Code Commande86AK6351
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.7A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.7A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SPB20N60C3ATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits