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FDS2670
MOSFET, N-CH, 200V, 3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,690 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
4 225,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS2670
Code Commande86AK4969
Gamme de produitPowerTrench Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits