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MBT3906DW1T1G.
Bipolar Transistor Array, PNP, -40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMBT3906DW1T1G.
Code Commande26AC1799
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP-40V
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN150mW
Transistor Case StyleSOT-363
Power Dissipation PNP-
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP100hFE
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN250MHz
Transition Frequency PNP250MHz
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
-40V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min PNP
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
250MHz
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
150mW
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min NPN
100hFE
No. of Pins
6Pins
Transition Frequency NPN
250MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit