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MMBFJ177LT1G
TRANSISTOR, JFET, P, 30V, SOT-23
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ177LT1G
Code Commande
Mise en bobine58M9121
Bandes découpées58M9121
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Fiche technique
23 977 En Stock
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,452 $ |
| 25+ | 0,324 $ |
| 50+ | 0,323 $ |
| 100+ | 0,320 $ |
| 250+ | 0,288 $ |
| 500+ | 0,256 $ |
| 1000+ | 0,234 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ177LT1G
Code Commande
Mise en bobine58M9121
Bandes découpées58M9121
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Breakdown Voltage Vbr30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min-1.5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max-20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeP Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour MMBFJ177LT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
-1.5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-20mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
P Channel
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit